讲座内容：传统光刻技术通常依赖光刻胶模板，并需通过刻蚀或剥离工艺完成图案转移，工艺流程复杂，且在多材料体系中常受材料兼容性限制。部分现有的直接图案化方法虽简化了流程，但在构建复杂结构或实现高精度对准方面仍存在挑战。本次报告将介绍一种基于分子束莫尔干涉效应的全新图案化策略，即 “分子束全息光刻技术”。该方法无需使用光刻胶，可对任意可蒸发材料（包括金属、氧化物和有机半导体等）直接形成高分辨率纳米图案，并可适用于复杂三维表面和超晶格结构的构建。其核心原理是通过精确控制材料束流穿过纳米掩膜时的投影角度，使其在衬底上形成类似于干涉光刻中相干激光束干涉的图案，实现高精度自对准与纳米结构控制。

　　主讲人介绍：曾双双，现任华中科技大学集成电路学院教授。主要从事新型微纳工艺开发及其相关应用的研究，如基于微纳加工制备的固态纳米孔传感器用于生物单分子检测，以及利用纳米掩膜用于无光刻胶蚀刻的纳米图案化等。

　　上一篇：【创源大讲堂】人工智能时代翻译专业博士（DTI）培养的跨学科路径探索

　　西南交大联合主办第三十四届茅以升科学技术颁奖大会暨2025年度茅以升科技教育学术...

　　余敏明看望沈志云院士并出席西部地区直属高校党建与事业发展融合培训班开班式

　　西南交大支锦亦创新工作室获全省教科文卫体系统 “五一巾帼创新工作室”称号

　　西南交通大学主办国际期刊Railway Engineering Science跻身JCR 2024交通科技领域Q1...